Egwyddor gweithio PECVD - plât SINA P
Apr 18, 2024| PECVD Egwyddor gweithio - plât SINA P
Mae system SiNA yn mabwysiadu dull dyddodiad anwedd cemegol plasma microdon anuniongyrchol.
Manteision: Mae ganddo unffurfiaeth ffilm dda a gallu cynhyrchu màs.
3. Mae passivation H (hydrogen) yn y plasma ar wyneb y wafer silicon a trylediad o atomau hydrogen SiN i mewn i'r silicon yn y broses sintering, fel bod H (hydrogen) passivation yr wyneb silicon a'r ffiniau grawn yn y corff, bondiau atal a diffygion eraill, fel nad yw bellach yn chwarae rôl y ganolfan gyfansawdd, llai y cyfuniad o ychydig o gludwyr, gwella bywyd y cludwr lleiafrifol, a thrwy hynny wella ansawdd y wafer silicon a gwella effeithlonrwydd y gell solar.
Cwmni IKS PVD, peiriant cotio addurniadol, peiriant cotio offer, peiriant cotio DLC, peiriant cotio optegol, llinell cotio gwactod PVD, mae'r prosiect troi-allweddol ar gael. Cysylltwch â ni nawr, E-bost: iks.pvd@foxmail.com